会社概要
NanoGrids:官能基化表面-窒化/酸化シリコンメンブレンTEMグリッド
NanoGridsはより少ない時間で再現可能にするために広範囲の材料のサンプル調製、高品質の画像を可能にします。従来のTEM グリッドとは異なり、NanoGridsはサンプルが基質と相互作用を制御する活性表面を提供します。NanoGridsはターゲット材料の親和性を促進します。サンプル調整の際、凝集や乾燥などの現象を解消してサンプルの均一性を向上させることができます。懸濁液、溶液、乾燥粉末、ナノ材料のコーティング剤と薄膜試料のサンプル調整に使用します。
アプリケーションガイド
| 窒化シリコン | 酸化シリコン | 標準カーボン | 薄膜カーボン | |
|---|---|---|---|---|
| メンブレン | 15nm | 25nm | 20-50nm | 5-10nm |
| イメージ*1 | 有効 | 有効 | 有効 | 良い |
| プラズマ洗浄 | 可 | 可 | 不可 | 不可 |
| 物質解析 バックグラウンド |
Si, N | Si, O | C, H | C, H |
| 熱安定性 | ～1000℃ | ～1000℃ | ～400℃ | ～400℃ |
| 化学安定性 | 優れている | 有効 | 有効 | 有効 |
| 高ビーム電流*2 | 有効 | 有効 | 優れている | 優れている |
| コンタミネーション の可能性 |
無 | 無 | カーボン | カーボン |
| ナノスケールポア マイクロスケールポア |
無 | 無 | 無 | 無 |
| バックグラウンド | 無 | 無 | 無 | 無 |
5nm非多孔/無孔シリコンメンブレングリッドは超薄カーボンコートグリッドより2倍以上色にじみが減少します。
*2 ビーム下の安定性は電子によって打たれたフィルムの劣化の可能性により決定されます。5nm非多孔/無孔シリコン
メンブレングリッドは超薄カーボンコートグリッドより2倍以上色にじみが減少します。純粋なSiは妨げになる結合形成が
ないため最も安定しています。SiO2 とSiNは電子の分子フィルム結合の妨げとフィルム劣化により崩壊されます。
【特 長】
●SiO膜(25nm), SiN膜(15nm)が利用頂けます
●頑丈な厚さ100μmのSiフレームを持つ標準 3mm径グリッドは、ほぼすべてのTEMホルダーに収まります
●最大55個のマルチウインドウグリッド
●超低バックグラウンドのメンブレン
●1000℃までの熱に耐えることができます
【サンプル調整】
●親水性、疎水性及び他の特定の表面化学未処理試料のサンプル調製を簡素化し、新しい機能を 有効にします
【高品質、高解像度データと分析】
●TEM、SEM、AFM、EPMA、XPS等を用いた ナノ粒子及びその他のナノ材料の直接相関分析
【グリッド仕様】
NanoBasic 親水性TEMグリッド
NanoBasic Gridsはドロップキャスティング、ディップコーティング、蒸着、自己組織化およびナノスケール材料のエアロゾルデポジション法などのTEMサンプル調製方法の広い範囲に対応します。表面水酸基(ヒドロキシル基)は、容易に水溶液を濡らす親水性表面を作り出します。強酸や有機溶剤による洗浄などの化学処理に対して頑強で、1000℃近くまでに加熱することができます。TEMに加えて、同一サンプルに直接的な相関分析が可能でありSEM、AFMなどの他の分析に適しに表面です。
NanoBasicGridsは金属及びセラミックナノ粒子は、ポリマー材料、及びカーボンナノチューブを含む実質的に全てのナノ物質のTEMサンプルを調製するための高性能、一般的なユーティリティ・プラットフォームを提供します。
高解像度のナノスケールイメージングのための非常に低いバックグラウンドを提供します。
NanoBasicGridsは金属及びセラミックナノ粒子は、ポリマー材料、及びカーボンナノチューブを含む実質的に全てのナノ物質のTEMサンプルを調製するための高性能、一般的なユーティリティ・プラットフォームを提供します。
高解像度のナノスケールイメージングのための非常に低いバックグラウンドを提供します。
| 型番 | メンブレン | ウィンドウ数 | ウィンドウサイズ | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|---|---|
| NG01-011A | 25nm SiO | 55 | 50 x 50um | 10/pk | 64,000 |
| NG01-011B | 25nm SiO | 35 | 100 x 100um | 10/pk | 64,000 |
| NG01-011C | 25nm SiO | 9 | 50um x 2mm | 10/pk | 64,000 |
| NG04-011A | 15nm SiN | 55 | 50 x 50um | 10/pk | 64,000 |
| NG04-011B | 15nm SiN | 35 | 100 x 100um | 10/pk | 64,000 |
| NG04-011C | 15nm SiN | 9 | 50um x 2mm | 10/pk | 64,000 |
NanoPlus 親水性/正電荷TEMグリッド
負に帯電した材料への強い親和性を示す正電荷表面を有する親水性グリッド
例:金属クエン酸塩ナノ粒子、活性炭、アスベスト、酸化物ナノ粒子
グリッドは親水性であり、正の表面電荷を有するSiNまたはSiO膜から成り、表面負電荷を有する粒子を単に浸漬または溶液の滴下後にリンスすることにより、静電相互作用を介してグリッド表面に結合します。この迅速な試料調製方法は、正確で再現可能な計測のための最小限の凝集とグリッド表面にわたって材料の均一な分布をもたらします。NanoPLUS TEM Gridsは金属クエン酸塩および他のコロイド状のNP、カーボンブラック、ポリマービーズ、金属酸化物および他のセラミックス、及び官能金属と半導体ナノ粒子を含む広範囲の材料に対して親和性を有する官能基化SiN、SiOメンブレングリッドになります。
例:金属クエン酸塩ナノ粒子、活性炭、アスベスト、酸化物ナノ粒子
グリッドは親水性であり、正の表面電荷を有するSiNまたはSiO膜から成り、表面負電荷を有する粒子を単に浸漬または溶液の滴下後にリンスすることにより、静電相互作用を介してグリッド表面に結合します。この迅速な試料調製方法は、正確で再現可能な計測のための最小限の凝集とグリッド表面にわたって材料の均一な分布をもたらします。NanoPLUS TEM Gridsは金属クエン酸塩および他のコロイド状のNP、カーボンブラック、ポリマービーズ、金属酸化物および他のセラミックス、及び官能金属と半導体ナノ粒子を含む広範囲の材料に対して親和性を有する官能基化SiN、SiOメンブレングリッドになります。
| 型番 | メンブレン | ウィンドウ数 | ウィンドウサイズ | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|---|---|
| NG01-051A | 25nm SiO | 55 | 50 x 50um | 10/pk | 76,000 |
| NG01-051B | 25nm SiO | 35 | 100 x 100um | 10/pk | 76,000 |
| NG01-051C | 25nm SiO | 9 | 50um x 2mm | 10/pk | 76,000 |
| NG04-051A | 15nm SiN | 55 | 50 x 50um | 10/pk | 76,000 |
| NG04-051B | 15nm SiN | 35 | 100 x 100um | 10/pk | 76,000 |
| NG04-051C | 15nm SiN | 9 | 50um x 2mm | 10/pk | 76,000 |
NanoMinus 親水性/負電荷TEMグリッド
正に帯電した材料への強い親和性を示す負電荷表面を有する親水性グリッド
例:リジンジンコーティング粒子、四級アミン表面
グリッドは親水性であり、負の表面電荷を有するSiNまたはSiO膜から成り、表面正電荷を有する粒子を単に浸漬または溶液の滴下後にリンスすることにより、静電相互作用を介してグリッド表面に結合します。NanoMinus Gridsはサンプルの再現性は、ドロップキャスティング、ディップコーティング、またはエアロゾルデポジション法を用いて調製改善します。
NanoMinus Gridsは第四および第一級アミン誘導体化された粒子、リジンコーティング粒子、ルイス酸および他のカチオン性物質を含むナノ材料の様々なTEM試料作製をサポートするために官能基化SiN、SiOメンブレングリッドになります。
例:リジンジンコーティング粒子、四級アミン表面
グリッドは親水性であり、負の表面電荷を有するSiNまたはSiO膜から成り、表面正電荷を有する粒子を単に浸漬または溶液の滴下後にリンスすることにより、静電相互作用を介してグリッド表面に結合します。NanoMinus Gridsはサンプルの再現性は、ドロップキャスティング、ディップコーティング、またはエアロゾルデポジション法を用いて調製改善します。
NanoMinus Gridsは第四および第一級アミン誘導体化された粒子、リジンコーティング粒子、ルイス酸および他のカチオン性物質を含むナノ材料の様々なTEM試料作製をサポートするために官能基化SiN、SiOメンブレングリッドになります。
| 型番 | メンブレン | ウィンドウ数 | ウィンドウサイズ | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|---|---|
| NG01-071A | 25nm SiO | 55 | 50 x 50um | 10/pk | 76,000 |
| NG01-071B | 25nm SiO | 35 | 100 x 100um | 10/pk | 76,000 |
| NG01-071C | 25nm SiO | 9 | 50um x 2mm | 10/pk | 76,000 |
| NG04-071A | 15nm SiN | 55 | 50 x 50um | 10/pk | 76,000 |
| NG04-071B | 15nm SiN | 35 | 100 x 100um | 10/pk | 76,000 |
| NG04-071C | 15nm SiN | 9 | 50um x 2mm | 10/pk | 76,000 |
NanoHydrophobic 疎水性TEMグリッド
有機溶剤で使用するために疎水性コーティングを施した疎水性グリッド
例:カーボンナノチューブ、量子ドット、アルカンチオール、官能基化Au、FIBラメラ
NanoHydrophobic Gridsは接触角>100°との疎水性表面を作成するためにアルキル鎖(N8)で官能化されています。
それらは有機溶媒からの材料の堆積またはTEMサンプル調製の間本質的に疎水性の表面を有する材料に対して非常に貴重です。乾燥する間NanoHydrophobic Gridsは疎水性物質の凝集を防止します。これらのタイプの材料の例としてはカーボンナノチューブ及びフラーレン、量子ドット、FIBラメラ、DNA及び任意のアルキル化された材料を含みます。
例:カーボンナノチューブ、量子ドット、アルカンチオール、官能基化Au、FIBラメラ
NanoHydrophobic Gridsは接触角>100°との疎水性表面を作成するためにアルキル鎖(N8)で官能化されています。
それらは有機溶媒からの材料の堆積またはTEMサンプル調製の間本質的に疎水性の表面を有する材料に対して非常に貴重です。乾燥する間NanoHydrophobic Gridsは疎水性物質の凝集を防止します。これらのタイプの材料の例としてはカーボンナノチューブ及びフラーレン、量子ドット、FIBラメラ、DNA及び任意のアルキル化された材料を含みます。
| 型番 | メンブレン | ウィンドウ数 | ウィンドウサイズ | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|---|---|
| NG01-101A | 25nm SiO | 55 | 50 x 50um | 10/pk | 76,000 |
| NG01-101B | 25nm SiO | 35 | 100 x 100um | 10/pk | 76,000 |
| NG01-101C | 25nm SiO | 9 | 50um x 2mm | 10/pk | 76,000 |
| NG04-101A | 15nm SiN | 55 | 50 x 50um | 10/pk | 76,000 |
| NG04-101B | 15nm SiN | 35 | 100 x 100um | 10/pk | 76,000 |
| NG04-101C | 15nm SiN | 9 | 50um x 2mm | 10/pk | 76,000 |
NanoNeutral 親水性/中性電荷TEMグリッド
水素結合を促進する親水性グリッド
例:デキストラン被覆Fe2O3、PEG化ナノ粒子
Nanoneutralグリッドは親水性であり、グリッドに水素結合を促進する長鎖アルコールで官能化されています。
Nanoneutralグリッドは、デキストランで安定化のFe 2 O 3のNPおよび非イオン性界面活性剤で安定化された中性の表面電荷を有するナノ材料を堆積するために使用することができます。表面は凝集を最小限に抑えることができます。
例:デキストラン被覆Fe2O3、PEG化ナノ粒子
Nanoneutralグリッドは親水性であり、グリッドに水素結合を促進する長鎖アルコールで官能化されています。
Nanoneutralグリッドは、デキストランで安定化のFe 2 O 3のNPおよび非イオン性界面活性剤で安定化された中性の表面電荷を有するナノ材料を堆積するために使用することができます。表面は凝集を最小限に抑えることができます。
| 型番 | メンブレン | ウィンドウ数 | ウィンドウサイズ | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|---|---|
| NG01-021A | 25nm SiO | 55 | 50 x 50um | 10/pk | 76,000 |
| NG01-021B | 25nm SiO | 35 | 100 x 100um | 10/pk | 76,000 |
| NG01-021C | 25nm SiO | 9 | 50um x 2mm | 10/pk | 76,000 |
| NG04-021A | 15nm SiN | 55 | 50 x 50um | 10/pk | 76,000 |
| NG04-021B | 15nm SiN | 35 | 100 x 100um | 10/pk | 76,000 |
| NG04-021C | 15nm SiN | 9 | 50um x 2mm | 10/pk | 76,000 |
