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CVDグラフェン on SiO/Si
商品コード:
CDVG

CVDグラフェン on SiO/Si

関連カテゴリ:
高機能材料 > CVDグラフェン
CVD Graphene on SiO2/Si
単層グラフェンは0.34 nmの厚さであり、CVD処理によって成長した銅箔上の単層グラフェンをSiO2コーティングを有するウェハ(pドープ)上に転写します

Monolayer Graphene on SiO/Si chip

単層グラフェン SiO2/Si 基板
グラフェン膜特性
- グラフェン膜厚: 約0.34 nm
- グラフェン被覆範囲は約95%
- グラフェン膜は連続的ですが、時折穴や亀裂有
- グラフェン膜は多結晶であり、異なる結晶方位と結晶粒で構成
- シート抵抗: 660-1,500/Ω
SiO2/Siウェハ特性
- SiO2膜厚: 285 nm または90 nm
- ウェハ厚: 525 um
- 抵抗: 0.001~0.005Ω-cm
- ドーパントタイプ: P (Boron)
- 配行: <100>
- ウェハ表: 研磨, 裏: エッチング
型番 品名 数量 価格
1ML-SIO2-5P 単層グラフェン-285 nm SiO2/Si基板
10x10mm
5/pk 85,000
1ML-90NM-SIO2-5P 単層グラフェン-90 nm SiO2/Si基板
10x10mm
5/pk 85,000



 

Multiayer Graphene on SiO/Si chip

多層グラフェン SiO2/Si 基板
グラフェン膜特性
- グラフェン膜厚: 1-7層(平均4層)
- グラフェン被覆範囲は約95%
- グラフェン膜は連続的ですが、時折穴や亀裂有
- グラフェン膜は多結晶であり、異なる結晶方位と結晶粒で構成
- シート抵抗: 660-1,500/Ω
SiO2/Siウェハ特性
- SiO2膜厚: 285 nm
- ウェハ厚: 525 um
- 抵抗: 0.001~0.005Ω-cm
- ドーパントタイプ: P (Boron)
- 配行: <100>
- ウェハ表: 研磨, 裏: エッチング
型番 品名 数量 価格
Multi-SIO2-5P 多層グラフェン-285 nm SiO2/Si基板
10x10mm
5/pk 75,000
Multi-SIO2-10P 10/pk 140,000



 

Single/Double Layer Graphene on SiO/Si chip

単層/二重層グラフェン SiO2/Si 基板
グラフェン膜特性
グラフェンフイルムは主に単分子膜であり。10-30%の二層アイランドを有します
- グラフェン被覆範囲は約95%

- グラフェン膜は連続的ですが、時折穴や亀裂有
- グラフェン膜は多結晶であり、異なる結晶方位と結晶粒で構成
SiO2/Siウェハ特性
- SiO2膜厚: 285 nm または90 nm
- ウェハ厚: 525 um
- 抵抗: 0.001~0.005Ω-cm
- ドーパントタイプ: P (Boron)
- 配行: <100>
- ウェハ表: 研磨, 裏: エッチング
型番 品名 数量 価格
DBL-SIO2-10P 単層/二重層グラフェン-285 nm SiO2/Si基板
10x10mm
10/pk 60,000
DBL-SIO2-90-10P 単層/二重層グラフェン-90 nm SiO2/Si基板
10x10mm
10/pk 60,000



 

Two layers of CVD graphene film on SiO2/Si chip

単層グラフェンフィルム(2) 285 nm SiO2/Si基板

単層グラフェン2層膜の特性:
- 各グラフェンフィルムは、連続的に285nm(pドープ)SiO2 / Siウェハ上に転写
- グラフェン被覆率は約98%
- グラフェン単層膜被覆範囲は約95%、時折小さな多層アイランド(5%未満の二重層、
  主に単層95%超)あり
- フィルムは連続しており、細孔および有機残留物あり
- 各フィルムの厚さはラマン分光法により測定
- A-Bスタッキングの順はありません。 グラフェンフィルムは互いに対してランダムに
  配向されています。
- シート抵抗:215-700Ω/スクエア



グラフェン膜基板は、PMMA転写法を用いて製造


285nm(pドープ)SiO2/Siウェハ特性:
SiO2厚:285 nm
色:バイオレット
ウェハ厚:525 um
抵抗:0.001-0.005 ohm-cm
ドーパント:P(ホウ素)
オリエンテーション:<100>
表面:研磨
裏面:エッチング

アプリケーション:
●グラフェンエレクトロニクスとトランジスタ
●導電性コーティング
●航空宇宙産業のアプリケーション
●金属触媒のサポート
●マイクロアクチュエータ
●MEMSおよびNEMS
●化学およびバイオセンサー
●グラフェンを基調とした多機能材料

 
型番 品名 数量 価格
2-LAYERS-GRAPH-SiO2-4P 単層グラフェンフィルム(2層) 285 nm SiO2/Si基板
285 nm (p-doped)SiO2/Si基板 10x10mm
4/pk 85,000
2-LAYERS-GRAPH-SiO2-8P 8/pk 155,000

CVD Graphene/h-BN on SiO2/SiO chip

単層グラフェンフィルム/単層hBNフイルムヘテロ構造285 nm SiO2/Si基板

グラフェン/ h-BN膜の特性:
- 285nm(pドープ)SiO2 / Siウェハ上に転写された単層h-BN膜上の単層グラフェン膜

- 高い結晶品質
- グラフェン単層
被覆範囲は約95%、時折小さな多層アイランド(5%未満の二重層)
- フィルムは連続しており、細孔および有機残留物あり
- 各フィルムの厚さはラマン分光法により測定
- シート抵抗:430-800Ω/スクエア



グラフェン膜およびh-BN膜は銅箔上にCVD法により成長させた後、SiO2/Siウェハ上に転写
グラフェン/h-BN膜基板は、PMMA転写法を用いて製造


285nm(pドープ)SiO2/Siウェハ特性:
SiO2厚:285 nm
色:バイオレット
ウェハ厚:525 um
抵抗:0.001-0.005 ohm-cm
ドーパント:P(ホウ素)
オリエンテーション:<100>
表面:研磨
裏面:エッチング

アプリケーション:
●グラフェン/ hBN界面は、グラフェンを正確にゲートする必要がある場合、移動度を高めるため、および散乱を低減する必要がある場合に使用されます。
●h-BNは、その表面が原子的に滑らかであり、ダングリングボンドがなく、グラフェンと類似の構造を有するため、グラフェンベースのエレクトロニクスの基質として魅力的です。
●グラフェンと併せてSiO2 / Siウェハ上にh-BNを使用することで、トランジスタ応用のためのグラフェンヘテロ構造の探索が促進されます。

 
型番 品名 数量 価格
CVD-GRAPH-BN-SiO2-4P 単層グラフェンフィルム/単層hBNフイルムヘテロ構造
285 nm (p-doped)SiO2/Si基板 10x10mm
4/pk 85,000
CVD-GRAPH-BN-SiO2-8P 8/pk 155,000

CVD Graphene film kit

グラフェンフイルムキット
キット構成 
●シングル/ダブルレイヤーグラフェン/SiO2(285n m)チップ 10 x 10 mm (2/pk)
●グラフェンフィルム/ニッケル基板 10 x 10 mm (2/pk)
●マルチレイヤーグラフェン/SiO2(285 nm)チップ 10 x 10 mm (1/pk)
●シングルレイヤーグラフェン/SiO2(285 nm)チップ 10 x 10 mm (1/pk)
●シングルレイヤーグラフェン/ガラス基板 25 x 25 mm (1/pk)
型番 品名 数量 価格
FILM-KIT CVDグラフェンフイルムキット 1式 60,000



 
CVDグラフェン on SiO/Si

Graphene Transfer Kit

グラフェン トランスファーキット
熱剥離テープでグラフェンを転写するための手順は簡単です。しかし、連続的な被覆を得ることは困難です。連続的被覆を必要としない場合には熱剥離テープが有用です。熱剥離テープを用いることで残留物は低いです。しかしながら、約70%の被覆率でグラフェンは連続していません。PMMA法で行う場合、軽度のコンタミネーションはありますが99%の被覆率で高品質の連続的なグラフェンを得ることができます。

キット構成
熱剥離テープ 200 mm x 200 mm: 2シート
単層グラフェン銅フォイル 50 x 50 mm: 1枚
グラフェン/ニッケル基板 10 x 10 mm: 20枚
グラフェントランスファーインストラクション
型番 品名 数量 価格
GTT-KIT グラフェントランスファーキット 1式 98,000
CVDグラフェン on SiO/Si