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商品コード:
DSLO

Silicon Lift-Out Grids

関連カテゴリ:
電子顕微鏡関連 > FIB/Ion milling
Silicon Lift-Out Grids(3 patterns)

Silicon Lift-Out Grids

集束イオンビーム(FIB)用シリコンハーフグリッド
Silicon Half Grids for FIB

FIB試料調製のための"シリコンLift-Outグリッドの実質的にあらゆる材料からのin-situ TEM、トモグラフィーのためのFIB試料、およびアトムプローブの調製における劇的な改善を提供します。シリコンは容易にPtと接着し、簡単にサンプル形状と一致するように変更することができ、超クリーン、無金属基板を提供します。 FIBグリッドは堅牢で取り扱いが容易で簡単です。シリコンLift-Outグリッドは再現性があり、品質の高い試料と得られた高分解能イメージングのための究極の柔軟性を提供する3種類のグリッドが利用可能です。標準構成では、ラメラの底カットに密接に一致する面取り取付面を持つ単一のフラットマウントを持っています。




特 長
● 厚さ100μmの標準3mmジオメトリは、任意のTEMおよびFIB試料ホルダーに適合します
● Bドープ導電性シリコンは、試料調製およびTEMイメージング中のチャージを最小限に抑
 えま

剛性のある基板は、特に多段階処理/イメージングのため、ハンドリングを向上させるため
 に曲がりません

● メタルフリーのシリコングリッドは、EDSスペクトルから重元素を除去します
 グリッドにある「O」マークはグリッドの向きを示します
サンプルにグリッドを一致させることができ、新しい成形可能なSiの先端を含む連続傾斜
 の取り付け面や指状で使用可能

 半導体、Cryo FIB、固定/包埋ソフトマテリアルなど、幅広いアプリケーションに最適
 シリコンハーフグリッドの面取りされた表面は、ボンディングを改善し、プラチナの蓄積
 を減少させるために、FIBラメラのボトムカットに適合
型番 品名 数量 価格
F01-00B シリコンハーフグリッド in-situ FIB Lift-Out
55°連続傾斜フラットマウント
厚さ: 100um, 3mm径
10/pk 43,000
F01-01B シリコンハーフグリッド in-situ FIB Lift-Out
シングルマウントフィンガー
厚さ: 100um, 3mm径
10/pk 43,000
F01-04A シリコンハーフグリッド in-situ FIB Lift-Out
4マウントフィンガー(シャープマウントチップ)
厚さ: 100um, 3mm径
10/pk 60,000
※25/pk, 100/pk 仕様もご利用頂けます。価格につきましてはお問合せ下さい。


 
Silicon Lift-Out Grids