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Silicon Lift-Out Grids
Silicon Half Grids for FIB
集束イオンビーム(FIB)用シリコンハーフグリッド
FIB試料調製のための"シリコンLift-Outグリッドの実質的にあらゆる材料からのin-situ TEM、トモグラフィーのためのFIB試料、およびアトムプローブの調製における劇的な改善を提供します。シリコンは容易にPtと接着し、簡単にサンプル形状と一致するように変更することができ、超クリーン、無金属基板を提供します。 FIBグリッドは堅牢で取り扱いが容易で簡単です。シリコンLift-Outグリッドは再現性があり、品質の高い試料と得られた高分解能イメージングのための究極の柔軟性を提供する3種類のグリッドが利用可能です。標準構成では、ラメラの底カットに密接に一致する面取り取付面を持つ単一のフラットマウントを持っています。
特 長
● 厚さ100μmの標準3mmジオメトリは、任意のTEMおよびFIB試料ホルダーに適合します
● Bドープ導電性シリコンは、試料調製およびTEMイメージング中のチャージを最小限に抑
えます
● 剛性のある基板は、特に多段階処理/イメージングのため、ハンドリングを向上させるため
に曲がりません
● メタルフリーのシリコングリッドは、EDSスペクトルから重元素を除去します
● グリッドにある「O」マークはグリッドの向きを示します
● サンプルにグリッドを一致させることができ、新しい成形可能なSiの先端を含む連続傾斜
の取り付け面や指状で使用可能
● 半導体、Cryo FIB、固定/包埋ソフトマテリアルなど、幅広いアプリケーションに最適
● シリコンハーフグリッドの面取りされた表面は、ボンディングを改善し、プラチナの蓄積
を減少させるために、FIBラメラのボトムカットに適合
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集束イオンビーム(FIB)用シリコンハーフグリッド
FIB試料調製のための"シリコンLift-Outグリッドの実質的にあらゆる材料からのin-situ TEM、トモグラフィーのためのFIB試料、およびアトムプローブの調製における劇的な改善を提供します。シリコンは容易にPtと接着し、簡単にサンプル形状と一致するように変更することができ、超クリーン、無金属基板を提供します。 FIBグリッドは堅牢で取り扱いが容易で簡単です。シリコンLift-Outグリッドは再現性があり、品質の高い試料と得られた高分解能イメージングのための究極の柔軟性を提供する3種類のグリッドが利用可能です。標準構成では、ラメラの底カットに密接に一致する面取り取付面を持つ単一のフラットマウントを持っています。
特 長
● 厚さ100μmの標準3mmジオメトリは、任意のTEMおよびFIB試料ホルダーに適合します
● Bドープ導電性シリコンは、試料調製およびTEMイメージング中のチャージを最小限に抑
えます
● 剛性のある基板は、特に多段階処理/イメージングのため、ハンドリングを向上させるため
に曲がりません
● メタルフリーのシリコングリッドは、EDSスペクトルから重元素を除去します
● グリッドにある「O」マークはグリッドの向きを示します
● サンプルにグリッドを一致させることができ、新しい成形可能なSiの先端を含む連続傾斜
の取り付け面や指状で使用可能
● 半導体、Cryo FIB、固定/包埋ソフトマテリアルなど、幅広いアプリケーションに最適
● シリコンハーフグリッドの面取りされた表面は、ボンディングを改善し、プラチナの蓄積
を減少させるために、FIBラメラのボトムカットに適合
| 型番 | 品名 | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|
| F01-00B | シリコンハーフグリッド in-situ FIB Lift-Out 55°連続傾斜フラットマウント 厚さ: 100um, 3mm径 |
10/pk | 販売終了 |
| F01-01B | シリコンハーフグリッド in-situ FIB Lift-Out シングルマウントフィンガー 厚さ: 100um, 3mm径 |
10/pk | ¥45,000 |
| F01-04A | シリコンハーフグリッド in-situ FIB Lift-Out 4マウントフィンガー(シャープマウントチップ) 厚さ: 100um, 3mm径 |
10/pk | ¥65,000 |
