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SiN 窒化シリコンメンブレンTEMスロットグリッド
商品コード:
SPSNSL

SiN 窒化シリコンメンブレンTEMスロットグリッド

関連カテゴリ:
電子顕微鏡関連 > TEMグリッド(SiN, Si, SiOメンブレン)
20~500nmのSiN膜から目的に応じた膜厚を選択
イメージング解像度と機械的強度の理想的なバランスを提供

窒化シリコンメンブレンTEMグリッド

窒化シリコン(Si3N4)のユニークなメンブレンが革新性の高い手法により製造されています。
Si3N4の薄いフィルムは標準グレードのシリコンウェハー上に蒸着され、シリコンウェハーを
通してSi3N4層までバックエッチングにより、メンブレンウィンドウが生成されます。


■ Si:N比が3:4より大きい低応力メンブレンは劇的な結果をもたらします
■ バックグランドには構造やムラが見られません
■ TEM、SEM、あるいは場合によってAFMのいずれかを用い、そのまま置いた状態で反応の
  動的観測を
高温下で行うための不活性基板としての用いられます
■ メンブレンは少なくとも1000℃まで安定
■ メンブレンの破れ(制限の範囲内で)を心配することなく、アニーリング時間の関数で形態情報が簡単に得られます
■ TEMグリッドのように高精度のピンセットでメンブレンを取り扱うことができます


アプリケーションガイド

  アモルファス
シリコン
多孔ナノ結晶
シリコン
窒化
シリコン
酸化
シリコン
標準
カーボン
薄膜
カーボン
メンブレン 5, 9, 15nm 30nm 20, 30, 50, 75, 100,
150, 200, 500nm
20, 40, 100nm 20-50nm 5-10nm
イメージ*1 優れている 良い 有効 有効 有効 良い
プラズマ洗浄 不可 不可
物質解析
バックグラウンド
Si Si Si, N Si, O C, H C, H
熱安定性 ~600℃ ~600℃ ~1000℃ ~1000℃ ~400℃ ~400℃
化学安定性 強酸は避ける 強酸は避ける 優れている 有効 有効 有効
高ビーム電流*2 優れている 優れている 有効 有効 優れている 優れている
コンタミネーション
の可能性
カーボン カーボン
ナノスケールポア
マイクロスケールポア
有(ナノポア)
バックグラウンド ナノ結晶
*1 気孔の上にサンプルがある場合、多孔性のSIグリッドは干渉するバックグラウンドなしのサンプルイメージを可能にします。
5nm非多孔/無孔シリコンメンブレングリッドは超薄カーボンコートグリッドより2倍以上色にじみが減少します。
*2 ビーム下の安定性は電子によって打たれたフィルムの劣化の可能性により決定されます。5nm非多孔/無孔シリコン
メンブレングリッドは超薄カーボンコートグリッドより2倍以上色にじみが減少します。純粋なSiは妨げになる結合形成が
ないため最も安定しています。SiO2 とSiNは電子の分子フィルム結合の妨げとフィルム劣化により崩壊されます。


メンブレン厚
窒化シリコンの厚さは8種: 500, 200, 150, 100, 75, 50, 30, 20 nm
シリコンウェハーから窒化シリコン層までバックエッチングすることで、メンブレンウィンドウが作られます。



 

窒化シリコンメンブレンTEMスロットグリッド

傾斜角を大きくすることが可能なTEMグリッド
電子断層撮影:長さ1.0mmのスロットは高傾斜角電子断層撮影を行うのに理想的な幾何配置
メンブレン:窒化シリコン
型番 メンブレン厚 スロット スロット数 フレーム厚 数量 価格
4078SN-BA 500nm 1000 x 250um 1 200um 10/pk 55,000
4079SN-BA 200nm 10/pk 55,000
4080SN-BA 150nm 10/pk 55,000
4081SN-BA 100nm 10/pk 55,000
4082SN-BA 75nm 10/pk 70,000
4083SN-BA 50nm 10/pk 75,000
4084SN-BA 30nm 10/pk 87,000
4085SN-BA 20nm 10/pk 98,000