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商品コード：
AUSI

金蒸着 シリコンウェハ

関連カテゴリ：
高機能材料 > Wafer
電子顕微鏡関連 > 基板(石英, サファイア, ITO, FTO, AZO, SiC, GaN)
50 & 100 nm Gold Coated 2" & 4" Silicon Wafers

100nmゴールドコーティング シリコンウェハ

Gold 100nm Coated 4 "(100mm) Silicon Wafer
金 100nm コーティング シリコンウェハ

SEM、AFMおよび他の走査型プローブ顕微鏡、細胞培養および反射測定から、ナノ用途のための高品質金被覆シリコン基板の多くの用途があります。金コーティングが剥がれることなくこれらの基材をどのくらいの高温下での使用につきましては、一般的に約150℃と考えられ、250℃までは安定している可能性があります。温度が高すぎると、金が表面から剥がれ始める可能性があります。
 
仕 様
ウェハサイズ: 100mm (4インチ)
ウェハ厚: 約525 um
導電性: Dopant - p-type (Boron)
抵抗率: 1-30 ohm-cm 
配向性: <100>
金蒸着厚: 100nm
クロム接着層: 10nm
表面粗さ: 約2nm
 
型番 品名 金膜厚 サイズ 数量 価格
4176GSW 金コーティング シリコンウェハ 100nm 4" (100mm) 1 ¥150,000


 
金蒸着 シリコンウェハ

50nmゴールドコーティング シリコンウェハ

Gold 50nm Coated 2"(50mm) & 4 "(100mm) Silicon Wafer
金 50nm コーティング シリコンウェハ

SEM、AFMおよび他の走査型プローブ顕微鏡、細胞培養および反射測定から、ナノ用途のための高品質金被覆シリコン基板の多くの用途があります。金コーティングが剥がれることなくこれらの基材をどのくらいの高温下での使用につきましては、一般的に約150℃と考えられています。温度が高すぎると、金が表面から剥がれ始める可能性があります。

仕 様
ウェハサイズ: 50mm(2インチ), 100mm (4インチ)
ウェハ厚: 2インチ: 254〜301μm, 4インチ: 460〜530μm
ウェハドーパント:P/Boron
ウェハ配向:　<111>
ウェハ抵抗率: 1-50オーム-cm
ウェハ研磨:金蒸着面(研磨), 裏面(エッチング)
クロム接着層の厚さ:5nm±3nm
金蒸着厚:500Å (50nm±5nm)
金純度:99.99%

 
型番 品名 金膜厚 サイズ 数量 価格
4177GSW 金コーティング シリコンウェハ 50nm 2" (50mm) 1 ¥85,000
4178GSW 4" (100mm) 1 ¥150,000