会社概要
Monolayer Graphene on SiO2/Si chip
Monolayer Graphene on 300nm SiO2/Si chip
単層グラフェン 300nm SiO2/Si チップ 10 x 10mm
銅箔上で CVD により生成され、ウェット転写プロセスを使用してSiO2/Si
(300 nm SiO2) 基板に転写された単層グラフェン
単層グラフェンフィルム
透明度: > 97 %
被覆率: > 98%
厚さ (理論値): 0.345 nm
Al2O3 上の FET 電子移動度: 2000 cm2/Vs
SiO2/Si 上のホール電子移動度: 4000 cm2/Vs
シート抵抗: 450 +/- 40 オーム/平方 (1cm x1cm)
粒子サイズ: 最大 20 um
300nm SiO2/Siチップ特性
SiO2厚さ: 300 nm (+/- 5%)
ドーパントタイプ: P (Boron)
配向: <100>
抵抗率: 1-10 オーム-cm
厚さ: 525 +/- 20 um
前面: 片面研磨
裏面:エッチング
粒子: <10 @0.3 um
QC(ラマン分光法): I(G)/I(2D)<0.7、I(D)/I(G)<0.05
Monolayer Graphene on 90nm SiO2/Si chip
単層グラフェン 90nm SiO2/Si チップ 10 x 10mm
単層グラフェンフィルム
- グラフェン膜厚: 約0.34 nm
- グラフェン被覆範囲は約95%
- グラフェン膜は連続的ですが、時折穴や亀裂有
- グラフェン膜は多結晶であり、異なる結晶方位と結晶粒で構成
- シート抵抗: 660-1,500/Ω
90nm SiO2/Siウェハ特性
- SiO2膜厚: 90 nm
- ウェハ厚: 525 um
- 抵抗: 0.001～0.005Ω-cm
- ドーパントタイプ: P (Boron)
- 配行: <100>
- ウェハ表: 研磨, 裏: エッチング
アプリケーション
グラフェン研究、グラフェントランジスタおよび電子アプリケーション、グラフェンオプトエレクトロニクス、プラズモニクスおよびナノフォトニクス、グラフェン光検出器 (光子束または光パワーの測定)、バイオセンサーおよびバイオエレクトロニクス、航空宇宙産業 (エレクトロニクス、熱伝導材料など)、MEMS および NEMS
| 型番 | 品名 | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|
| 1ML-300NM-SIO2-4P | 単層グラフェン on 300 nm SiO2/Si基板 10x10mm |
4/pk | ¥130,000 |
| 1ML-90NM-SIO2-5P | 単層グラフェン on 90 nm SiO2/Si基板 10x10mm |
5/pk | ¥130,000 |
Monolayer Graphene on SiO2/Si wafer
Monolayer Graphene on SiO2/Si wafer 4" & 6"
単層グラフェン SiO2/Si wafer (4 & 6インチ)
単層グラフェンフィルム
透明度: > 97 %
被覆率: > 98%
厚さ (理論値): 0.345 nm
Al2O3 上の FET 電子移動度: 2000 cm2/Vs
SiO2/Si 上のホール電子移動度: 4000 cm2/Vs
シート抵抗: 450 +/- 40 オーム/平方 (1cm x1cm)
粒子サイズ: 最大 20 um
基板 SiO2/Siウェハ
SiO2厚さ: 300 nm (+/- 5%)
タイプ/ドーパント: P/B
配向: <100>
抵抗率: 1-10 オーム-cm
厚さ: 675 +/- 20 um
前面: 片面研磨
裏面:エッチング
粒子: <10 @0.3 um
QC(ラマン分光法): I(G)/I(2D)<0.7、I(D)/I(G)<0.05
アプリケーション
グラフェン研究、グラフェントランジスタおよび電子アプリケーション、グラフェンオプトエレクトロニクス、プラズモニクスおよびナノフォトニクス、グラフェン光検出器 (光子束または光パワーの測定)、バイオセンサーおよびバイオエレクトロニクス、航空宇宙産業 (エレクトロニクス、熱伝導材料など)、MEMS および NEMS
単層グラフェン SiO2/Si wafer (4 & 6インチ)
単層グラフェンフィルム
透明度: > 97 %
被覆率: > 98%
厚さ (理論値): 0.345 nm
Al2O3 上の FET 電子移動度: 2000 cm2/Vs
SiO2/Si 上のホール電子移動度: 4000 cm2/Vs
シート抵抗: 450 +/- 40 オーム/平方 (1cm x1cm)
粒子サイズ: 最大 20 um
基板 SiO2/Siウェハ
SiO2厚さ: 300 nm (+/- 5%)
タイプ/ドーパント: P/B
配向: <100>
抵抗率: 1-10 オーム-cm
厚さ: 675 +/- 20 um
前面: 片面研磨
裏面:エッチング
粒子: <10 @0.3 um
QC(ラマン分光法): I(G)/I(2D)<0.7、I(D)/I(G)<0.05
アプリケーション
グラフェン研究、グラフェントランジスタおよび電子アプリケーション、グラフェンオプトエレクトロニクス、プラズモニクスおよびナノフォトニクス、グラフェン光検出器 (光子束または光パワーの測定)、バイオセンサーおよびバイオエレクトロニクス、航空宇宙産業 (エレクトロニクス、熱伝導材料など)、MEMS および NEMS
| 型番 | 品名 | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|
| MG-Wafer-4 | 単層グラフェン on SiO2/Si wafer 4" (Φ100mm) | 1枚 | ￥320,000 |
| MG-Wafer-6 | 単層グラフェン on SiO2/Si wafer 6" (Φ150mm) | 1枚 | ￥370,000 |
Multiayer Graphene on SiO2/Si chip
Multiayer Graphene on SiO2/Si chip
多層グラフェン SiO2/Si 基板
グラフェン膜特性
- グラフェン膜厚: 1-7層(平均4層)
- グラフェン被覆範囲は約95%
- グラフェン膜は連続的ですが、時折穴や亀裂有
- グラフェン膜は多結晶であり、異なる結晶方位と結晶粒で構成
- シート抵抗: 660-1,500/Ω
SiO2/Siウェハ特性
- SiO2膜厚: 285 nm
- ウェハ厚: 525 um
- 抵抗: 0.001～0.005Ω-cm
- ドーパントタイプ: P (Boron)
- 配行: <100>
- ウェハ表: 研磨, 裏: エッチング
多層グラフェン SiO2/Si 基板
グラフェン膜特性
- グラフェン膜厚: 1-7層(平均4層)
- グラフェン被覆範囲は約95%
- グラフェン膜は連続的ですが、時折穴や亀裂有
- グラフェン膜は多結晶であり、異なる結晶方位と結晶粒で構成
- シート抵抗: 660-1,500/Ω
SiO2/Siウェハ特性
- SiO2膜厚: 285 nm
- ウェハ厚: 525 um
- 抵抗: 0.001～0.005Ω-cm
- ドーパントタイプ: P (Boron)
- 配行: <100>
- ウェハ表: 研磨, 裏: エッチング
| 型番 | 品名 | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|
| Multi-SIO2-5P | 多層グラフェン-285 nm SiO2/Si基板 10x10mm |
5/pk | ¥95,000 |
| Multi-SIO2-10P | 10/pk | ¥160,000 |
Two layers of CVD graphene film on SiO2/Si chip
Two layers of CVD graphene film on SiO2/Si chip
単層グラフェンフィルム(2層) 285 nm SiO2/Si基板
単層グラフェン2層膜の特性:
- 各グラフェンフィルムは、連続的に285nm(pドープ)SiO2 / Siウェハ上に転写
- グラフェン被覆率は約98%
- グラフェン単層膜被覆範囲は約95%、時折小さな多層アイランド(5%未満の二重層、
主に単層95%超)あり
- フィルムは連続しており、細孔および有機残留物あり
- 各フィルムの厚さはラマン分光法により測定
- A-Bスタッキングの順はありません。 グラフェンフィルムは互いに対してランダムに
配向されています。
- シート抵抗:215-700Ω/スクエア
グラフェン膜基板は、PMMA転写法を用いて製造
285nm(pドープ)SiO2/Siウェハ特性:
SiO2厚:285 nm
色:バイオレット
ウェハ厚:525 um
抵抗:0.001-0.005 ohm-cm
ドーパント:P(ホウ素)
オリエンテーション:<100>
表面:研磨
裏面:エッチング
アプリケーション:
●グラフェンエレクトロニクスとトランジスタ
●導電性コーティング
●航空宇宙産業のアプリケーション
●金属触媒のサポート
●マイクロアクチュエータ
●MEMSおよびNEMS
●化学およびバイオセンサー
●グラフェンを基調とした多機能材料
単層グラフェンフィルム(2層) 285 nm SiO2/Si基板
単層グラフェン2層膜の特性:
- 各グラフェンフィルムは、連続的に285nm(pドープ)SiO2 / Siウェハ上に転写
- グラフェン被覆率は約98%
- グラフェン単層膜被覆範囲は約95%、時折小さな多層アイランド(5%未満の二重層、
主に単層95%超)あり
- フィルムは連続しており、細孔および有機残留物あり
- 各フィルムの厚さはラマン分光法により測定
- A-Bスタッキングの順はありません。 グラフェンフィルムは互いに対してランダムに
配向されています。
- シート抵抗:215-700Ω/スクエア
グラフェン膜基板は、PMMA転写法を用いて製造
285nm(pドープ)SiO2/Siウェハ特性:
SiO2厚:285 nm
色:バイオレット
ウェハ厚:525 um
抵抗:0.001-0.005 ohm-cm
ドーパント:P(ホウ素)
オリエンテーション:<100>
表面:研磨
裏面:エッチング
アプリケーション:
●グラフェンエレクトロニクスとトランジスタ
●導電性コーティング
●航空宇宙産業のアプリケーション
●金属触媒のサポート
●マイクロアクチュエータ
●MEMSおよびNEMS
●化学およびバイオセンサー
●グラフェンを基調とした多機能材料
| 型番 | 品名 | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|
| 2-LAYERS-GRAPH-SiO2-4P | 単層グラフェンフィルム(2層) 285 nm SiO2/Si基板 285 nm (p-doped)SiO2/Si基板 10x10mm |
4/pk | ¥115,000 |
| 2-LAYERS-GRAPH-SiO2-8P | 8/pk | ¥200,000 |
CVD Graphene/h-BN on SiO2/SiO chip
CVD Graphene/h-BN on SiO2/SiO chip
単層グラフェンフィルム/単層hBNフイルムヘテロ構造285 nm SiO2/Si基板
グラフェン/ h-BN膜の特性:
- 285nm(pドープ)SiO2 / Siウェハ上に転写された単層h-BN膜上の単層グラフェン膜
- 高い結晶品質
- グラフェン単層膜被覆範囲は約95%、時折小さな多層アイランド(5%未満の二重層)
- フィルムは連続しており、細孔および有機残留物あり
- 各フィルムの厚さはラマン分光法により測定
- シート抵抗:430-800Ω/スクエア
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グラフェン膜およびh-BN膜は銅箔上にCVD法により成長させた後、SiO2/Siウェハ上に転写
グラフェン/h-BN膜基板は、PMMA転写法を用いて製造
285nm(pドープ)SiO2/Siウェハ特性:
SiO2厚:285 nm
色:バイオレット
ウェハ厚:525 um
抵抗:0.001-0.005 ohm-cm
ドーパント:P(ホウ素)
オリエンテーション:<100>
表面:研磨
裏面:エッチング
アプリケーション:
●グラフェン/ hBN界面は、グラフェンを正確にゲートする必要がある場合、移動度を高めるため、および散乱を低減する必要がある場合に使用されます。
●h-BNは、その表面が原子的に滑らかであり、ダングリングボンドがなく、グラフェンと類似の構造を有するため、グラフェンベースのエレクトロニクスの基質として魅力的です。
●グラフェンと併せてSiO2 / Siウェハ上にh-BNを使用することで、トランジスタ応用のためのグラフェンヘテロ構造の探索が促進されます。
単層グラフェンフィルム/単層hBNフイルムヘテロ構造285 nm SiO2/Si基板
グラフェン/ h-BN膜の特性:
- 285nm(pドープ)SiO2 / Siウェハ上に転写された単層h-BN膜上の単層グラフェン膜
- 高い結晶品質
- グラフェン単層膜被覆範囲は約95%、時折小さな多層アイランド(5%未満の二重層)
- フィルムは連続しており、細孔および有機残留物あり
- 各フィルムの厚さはラマン分光法により測定
- シート抵抗:430-800Ω/スクエア
グラフェン膜およびh-BN膜は銅箔上にCVD法により成長させた後、SiO2/Siウェハ上に転写
グラフェン/h-BN膜基板は、PMMA転写法を用いて製造
285nm(pドープ)SiO2/Siウェハ特性:
SiO2厚:285 nm
色:バイオレット
ウェハ厚:525 um
抵抗:0.001-0.005 ohm-cm
ドーパント:P(ホウ素)
オリエンテーション:<100>
表面:研磨
裏面:エッチング
アプリケーション:
●グラフェン/ hBN界面は、グラフェンを正確にゲートする必要がある場合、移動度を高めるため、および散乱を低減する必要がある場合に使用されます。
●h-BNは、その表面が原子的に滑らかであり、ダングリングボンドがなく、グラフェンと類似の構造を有するため、グラフェンベースのエレクトロニクスの基質として魅力的です。
●グラフェンと併せてSiO2 / Siウェハ上にh-BNを使用することで、トランジスタ応用のためのグラフェンヘテロ構造の探索が促進されます。
| 型番 | 品名 | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|
| CVD-GRAPH-BN-SiO2-4P | 単層グラフェンフィルム/単層hBNフイルムヘテロ構造 285 nm (p-doped)SiO2/Si基板 10x10mm |
4/pk | ¥150,000 |
| CVD-GRAPH-BN-SiO2-8P | 8/pk | ¥280,000 |
