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Monolayer Graphene on SiO2/Si chip

Monolayer Graphene on 300nm SiO2/Si chip
単層グラフェン 300nm SiO2/Si チップ 10 x 10mm     

  

銅箔上で CVD により生成され、ウェット転写プロセスを使用してSiO2/Si
(300 nm SiO2) 基板に転写された単層グラフェン

単層グラフェンフィルム
透明度: > 97 %
被覆率: > 98%
厚さ (理論値): 0.345 nm
Al2O3 上の FET 電子移動度: 2000 cm2/Vs
SiO2/Si 上のホール電子移動度: 4000 cm2/Vs
シート抵抗: 450 +/- 40 オーム/平方 (1cm x1cm)
粒子サイズ: 最大 20 um

300nm SiO2/Siチップ特性
SiO2厚さ: 300 nm (+/- 5%)
ドーパントタイプ: P (Boron)
配向: <100>
抵抗率: 1-10 オーム-cm
厚さ: 525 +/- 20 um
前面: 片面研磨
裏面:エッチング
粒子: <10 @0.3 um

QC(ラマン分光法): I(G)/I(2D)<0.7、I(D)/I(G)<0.05
 


Monolayer Graphene on 90nm SiO2/Si chip
単層グラフェン 90nm SiO2/Si チップ 10 x 10mm

単層グラフェンフィルム
- グラフェン膜厚: 約0.34 nm
- グラフェン被覆範囲は約95%
- グラフェン膜は連続的ですが、時折穴や亀裂有
- グラフェン膜は多結晶であり、異なる結晶方位と結晶粒で構成
- シート抵抗: 660-1,500/Ω

90nm SiO2/Siウェハ特性
- SiO2膜厚: 90 nm
- ウェハ厚: 525 um
- 抵抗: 0.001～0.005Ω-cm
- ドーパントタイプ: P (Boron)
- 配行: <100>
- ウェハ表: 研磨, 裏: エッチング


アプリケーション
グラフェン研究、グラフェントランジスタおよび電子アプリケーション、グラフェンオプトエレクトロニクス、プラズモニクスおよびナノフォトニクス、グラフェン光検出器 (光子束または光パワーの測定)、バイオセンサーおよびバイオエレクトロニクス、航空宇宙産業 (エレクトロニクス、熱伝導材料など)、MEMS および NEMS
 

Monolayer Graphene on SiO2/Si wafer

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Monolayer Graphene on Si3N4/Si chip

Monolayer Graphene on Si₃N₄/Si chip
単層グラフェン 150nm Si₃N₄/Si チップ 10 x 10mm



グラフェン膜特性
透明度: > 97 %
被覆率: > 98%
厚さ (理論値): 0.345 nm
SiO2/Si 上のホール電子移動度: 1432±428 cm2/Vs
シート抵抗: 576±172 オーム/平方 (1cm x1cm)
粒子サイズ: 最大 20 um

Si₃N₄/Siウェハ特性
- Si₃N₄膜厚: 150 nm
- ウェハ厚: 725 +/- 25 μm
- 抵抗: 10-20 Ω-cm
- ドーパントタイプ: P (Boron)
- 配行: <100>
- ウェハ: 表(研磨), 裏(エッチング)