p-dope SiO/Si wafer
酸化シリコン膜/シリコンウェハ (p-type)  
ウェハサイズ: 100mm (4インチ)
ウェハ厚: 525 um
SiO膜厚: 300 nm(+/-10%)または 90 nm
抵抗率: SiO 300nm: 1-5 ohm-cm, SiO 90nm: <0.01 ohm-cm
導電性: Dopant - p-type (Boron)
配向性: <100>
表面 (研磨):、裏面(エッチング処理)
	
		
 
                    
                                
            ウェハサイズ: 100mm (4インチ)
ウェハ厚: 525 um
SiO膜厚: 300 nm(+/-10%)または 90 nm
抵抗率: SiO 300nm: 1-5 ohm-cm, SiO 90nm: <0.01 ohm-cm
導電性: Dopant - p-type (Boron)
配向性: <100>
表面 (研磨):、裏面(エッチング処理)
| 型番 | 品名 | 数量 | 価格 | 
|---|---|---|---|
| W-1P-300 | 300nm SiO/Si wafer, p-type | 1/pk | ¥25,000 | 
| W-5P-300 | 300nm SiO/Si wafer, p-type | 5/pk | ¥98,000 | 
| W-1P-90 | 90nm SiO/Si wafer, p-type | 1/pk | ¥25,000 | 
n-dope SiO/Si wafer
酸化シリコン膜/シリコンウェハ (n-type)  
ウェハサイズ: 100mm (4インチ)
ウェハ厚: 525 um
SiO膜厚: 285 nm
抵抗率: 0.001-0.005 ohm-cm
導電性: Dopant - n-type (Arsenic)
配向性: <100>
表面 (研磨):、裏面(エッチング処理)
	
		
                    
                                
            ウェハサイズ: 100mm (4インチ)
ウェハ厚: 525 um
SiO膜厚: 285 nm
抵抗率: 0.001-0.005 ohm-cm
導電性: Dopant - n-type (Arsenic)
配向性: <100>
表面 (研磨):、裏面(エッチング処理)
| 型番 | 品名 | 数量 | 価格 | 
|---|---|---|---|
| W-1N-300 | 285nm SiO/Si wafer, n-type | 1/pk | 販売終了 | 
| W-5N-300 | 285nm SiO/Si wafer, n-type | 5/pk | 販売終了 | 

 会社概要
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