会社概要
Molybdenum Disulfide (MoS2) Single Crystal
二硫化モリブデン単結晶(ナチュラル)
二硫化モリブデンは自然形成層状遷移金属ダイカルコゲナイド
グラファイトの結晶に似た感じの銀色黒色結晶
二硫化モリブデンはそれにトランジスタ、フレキシブルディスプレイ、および光学における潜在的なアプリケーションを可能にするユニークな特性がいくつかあります。一つは、ほとんどのトランジスタの用途に必要である直接バンドギャップを有する。また、光ルミネセンス性の高いユニークな光学特性を有し、このプロパティは輝きや画像を表示するウィンドウができる壁を作る際の潜在的なアプリケーションを提供します。
MoS2劈開
MoS2 の劈開 は、雲母(MICA)または HOPG と非常に似た方法で劈開されます。 新しい劈開された表面を取得するにはスコッチテープを MoS2基板 にしっかりと押し付け、基板を壊さない程度の力で基板全体の表面に圧力をかけます。継続的にテープを引っ張って劈開された層を持ち上げます。
スコッチテープによるMoS2の劈開
特徴: 単結晶
純度: ≧99%
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※これらは天然鉱物であり、記載されている寸法は最長のXおよびYの長さに基づいており、
正方形または長方形片ではありません。
二硫化モリブデンは自然形成層状遷移金属ダイカルコゲナイド
グラファイトの結晶に似た感じの銀色黒色結晶
二硫化モリブデンはそれにトランジスタ、フレキシブルディスプレイ、および光学における潜在的なアプリケーションを可能にするユニークな特性がいくつかあります。一つは、ほとんどのトランジスタの用途に必要である直接バンドギャップを有する。また、光ルミネセンス性の高いユニークな光学特性を有し、このプロパティは輝きや画像を表示するウィンドウができる壁を作る際の潜在的なアプリケーションを提供します。
MoS2劈開
MoS2 の劈開 は、雲母(MICA)または HOPG と非常に似た方法で劈開されます。 新しい劈開された表面を取得するにはスコッチテープを MoS2基板 にしっかりと押し付け、基板を壊さない程度の力で基板全体の表面に圧力をかけます。継続的にテープを引っ張って劈開された層を持ち上げます。
スコッチテープによるMoS2の劈開
特徴: 単結晶
純度: ≧99%
| 型番 | 品名 | サイズ | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|---|
| 429MINI | 二硫化モリブデン単結晶 純度: 99% タイプ: ナチュラル |
Mini: <5 x <5 mm | 5/pk | 販売終了 |
| 429MS | Small: 8 x 8 mm | 1/pk | ¥20,000 | |
| 429MM | Medium: 15 x 10 mm | 1/pk | ¥35,000 | |
| 429ML | Large: 20 x 10 mm | 1/pk | ¥45,000 |
正方形または長方形片ではありません。
Synthetic Molybdenum Disulfide: CVT & Flux zone
二硫化モリブデン単結晶(合成)
電子的に二硫化モリブデンは、間接バンドギャップ半導体
シートはファンデルワールス力によって一緒に保持して結晶が機械的に二硫化モリブデンを剥離することが容易になり、層状構造を有しています。
欠陥密度が低く、表面が非常に平坦で、結晶性が高い合成MoS2は、非常に小さい(0.3度)モザイクの広がりで層ごとに優れたスタッキングを備えているため、最小限の労力で大きな単分子層を剥離できます。 合成MoS2は間接ギャップ半導体(1.2 eV)ですが、1.9 eV(準粒子/光学バンドギャップ)から単分子層で高度に発光します。 合成MoS2結晶は、欠陥、電子的および光学的性能、純度、表面の滑らかさにおいて、天然のMoS2よりも優れています。
合成MoS2結晶から剥離した単層MoS2シートからのフォトルミネッセンススペクトル
ラマンスペクトル
XRDデータ
◆Synthetic Molybdenum Disulfide: CVT
二硫化モリブデン単結晶_化学蒸気輸送法 (CVT)
結晶サイズ: <5 x <4 x <1mm(厚), <10 x <8 x <1mm(厚)
※サイズはおよその寸法になり、仕様サイズより小さくなります。形状は四角形でないものも含まれています
材質特性: バルク1.2 eV間接励起子半導体(約1.85 eV)
結晶構造: 六方晶相(2H相)
ユニットセルパタメータ:a = b = 0.316 nm、c = 1.230 nm、a =β= 90°、γ= 120°
成長方法: 化学蒸気輸送法(Chemical vapor transport technique)
純度: ≧99%
※記載されている寸法は最長のX, YおよびZの長さに基づいております。
◆Synthetic Molybdenum Disulfide: Flux zone growth
二硫化モリブデン単結晶_フラックスゾーン成長 (Flux zone growth)
結晶サイズ: <10 x <10 x <2 mm(厚)
※サイズはおよその寸法になり、仕様サイズより小さくなります。形状は四角形でないものも含まれています
材質特性: バルク1.2 eV間接励起子半導体(約1.85 eV)
結晶構造: 六方晶相(2H相)
ユニットセルパタメータ:a = b = 0.316 nm、c = 1.230 nm、a =β= 90°、γ= 120°
成長方法: フラックスゾーン成長(Flux zone Growth)
純度: ≧99%
※記載されている寸法は最長のX, YおよびZの長さに基づいております。
電子的に二硫化モリブデンは、間接バンドギャップ半導体
シートはファンデルワールス力によって一緒に保持して結晶が機械的に二硫化モリブデンを剥離することが容易になり、層状構造を有しています。
欠陥密度が低く、表面が非常に平坦で、結晶性が高い合成MoS2は、非常に小さい(0.3度)モザイクの広がりで層ごとに優れたスタッキングを備えているため、最小限の労力で大きな単分子層を剥離できます。 合成MoS2は間接ギャップ半導体(1.2 eV)ですが、1.9 eV(準粒子/光学バンドギャップ)から単分子層で高度に発光します。 合成MoS2結晶は、欠陥、電子的および光学的性能、純度、表面の滑らかさにおいて、天然のMoS2よりも優れています。
合成MoS2結晶から剥離した単層MoS2シートからのフォトルミネッセンススペクトル
ラマンスペクトル
XRDデータ
◆Synthetic Molybdenum Disulfide: CVT
二硫化モリブデン単結晶_化学蒸気輸送法 (CVT)
結晶サイズ: <5 x <4 x <1mm(厚), <10 x <8 x <1mm(厚)
※サイズはおよその寸法になり、仕様サイズより小さくなります。形状は四角形でないものも含まれています
材質特性: バルク1.2 eV間接励起子半導体(約1.85 eV)
結晶構造: 六方晶相(2H相)
ユニットセルパタメータ:a = b = 0.316 nm、c = 1.230 nm、a =β= 90°、γ= 120°
成長方法: 化学蒸気輸送法(Chemical vapor transport technique)
純度: ≧99%
| 型番 | 品名 | サイズ(mm) | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|---|
| MOS-SYN-CVT-5 | 二硫化モリブデン単結晶 タイプ: CVT法(合成) |
<5 x <4 x <1mm | 1 | ¥80,000 |
| MOS-SYN-CVT-10 | <10 x <8 x <1mm | 1 | ¥160,000 |
◆Synthetic Molybdenum Disulfide: Flux zone growth
二硫化モリブデン単結晶_フラックスゾーン成長 (Flux zone growth)
結晶サイズ: <10 x <10 x <2 mm(厚)
※サイズはおよその寸法になり、仕様サイズより小さくなります。形状は四角形でないものも含まれています
材質特性: バルク1.2 eV間接励起子半導体(約1.85 eV)
結晶構造: 六方晶相(2H相)
ユニットセルパタメータ:a = b = 0.316 nm、c = 1.230 nm、a =β= 90°、γ= 120°
成長方法: フラックスゾーン成長(Flux zone Growth)
純度: ≧99%
| 型番 | 品名 | サイズ(mm) | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|---|
| MOS-SYN-FLUX-10 | 二硫化モリブデン単結晶(合成) タイプ: Flux zone growth法 |
<10 x <10 x <2mm | 1 | ¥176,000 |
CVD Monolayer MoS2 film
CVD Monolayer Molybdenum Disulfide (MoS2) Film
化学蒸着(CVD)二硫化モリブデン単層膜
CVD単層二硫化モリブデン(MoS2)は、顕微鏡分析、フォトルミネッセンス研究、ラマン分光研究、太陽光発電セル、センサー、光検出器、FETなどに広く使用されています。
フィルム: 単層二硫化モリブデン (MoS2)
基板: C-Plane サファイアまたは SiO2/Si (300nm SiO2)基板
サイズ: 10x10mm
研磨: 片面研磨 (SSP) 基板
単層比率: ≥95%
カバー範囲: 90%
化学蒸着(CVD)二硫化モリブデン単層膜
CVD単層二硫化モリブデン(MoS2)は、顕微鏡分析、フォトルミネッセンス研究、ラマン分光研究、太陽光発電セル、センサー、光検出器、FETなどに広く使用されています。
フィルム: 単層二硫化モリブデン (MoS2)
基板: C-Plane サファイアまたは SiO2/Si (300nm SiO2)基板
サイズ: 10x10mm
研磨: 片面研磨 (SSP) 基板
単層比率: ≥95%
カバー範囲: 90%
| 型番 | 品名 | 基板・サイズ(mm) | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|---|
| MOS-CVD-Sapphire | CVD二硫化モリブデン単層膜 | サファイア:10x10x0.5mm | 1 | ¥160,000 |
| MOS-CVD-SiO/Si | SiO/Si: 10x10x0.5mm | 1 | ¥160,000 |
