Tungsten Disulfide Crystal (WS2)
二硫化タングステン結晶
WS2のラマンスペクトルは~352cm-1(in-plane E2g mode)と~420cm-1(out-of-plane A1g mode) の2つの顕著なピークを示します。これらのピークは六晶方結晶化WS2の特徴です。単層で剥離すると、2つのピークが近づくと1.9eVの周りの強い光ルミネセンスがあります。
WS2のラマンスペクトルは~352cm-1(in-plane E2g mode)と~420cm-1(out-of-plane A1g mode) の2つの顕著なピークを示します。これらのピークは六晶方結晶化WS2の特徴です。単層で剥離すると、2つのピークが近づくと1.9eVの周りの強い光ルミネセンスがあります。
型番 | 品名 | サイズ | 数量 | 価格 |
---|---|---|---|---|
WS2-AB | WS2単結晶 純度: 99.95% タイプ: 合成 |
3 x 3mm | 1 | ¥136,000 |
CVD Monolayer WS2 film, Triangles
CVD Monolayer Tungsten Disulfide (WS2) Film, Triangles
化学蒸着(CVD)二硫化タングステン単層膜(三角形状)
優れた電気的・光学的特性を有する単層材料であり、光電子デバイスやナノ電気機械システムなどの様々な用途において有用。水素貯蔵、触媒、トランジスタ、潤滑剤、リチウム電池、太陽電池の吸着層としての利用など。
単層二硫化タングステン(WS2)は、独自の機械的、電子的、光学的、化学的特性を有する二次元直接バンドギャップ半導体であり、革新的なナノエレクトロニクスおよび光電子デバイスへの応用。
フィルム: 単層二硫化タングステン (WS2)
基板: C-Plane サファイアまたは SiO2/Si (300nm SiO2)基板
サイズ: 10x10mm
研磨: 片面研磨 (SSP) 基板
単層比率: 孤立した単分子三角形および部分的に融合した単分子三角形
被覆範囲: 90%
化学蒸着(CVD)二硫化タングステン単層膜(三角形状)
優れた電気的・光学的特性を有する単層材料であり、光電子デバイスやナノ電気機械システムなどの様々な用途において有用。水素貯蔵、触媒、トランジスタ、潤滑剤、リチウム電池、太陽電池の吸着層としての利用など。
単層二硫化タングステン(WS2)は、独自の機械的、電子的、光学的、化学的特性を有する二次元直接バンドギャップ半導体であり、革新的なナノエレクトロニクスおよび光電子デバイスへの応用。
フィルム: 単層二硫化タングステン (WS2)
基板: C-Plane サファイアまたは SiO2/Si (300nm SiO2)基板
サイズ: 10x10mm
研磨: 片面研磨 (SSP) 基板
単層比率: 孤立した単分子三角形および部分的に融合した単分子三角形
被覆範囲: 90%
型番 | 品名 | 基板・サイズ(mm) | 数量 | 価格 |
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WS-CVD-Sapphire | CVD二硫化タングステン単層膜 | サファイア:10x10x0.5mm | 1 | ¥170,000 |
WS-CVD-SiO/Si | SiO/Si: 10x10x0.5mm | 1 | ¥192,000 |