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SiC キャリブレーションサンプル
SiC キャリブレーションサンプル
6H-SiCの(0001)に基づくキャリブレーションサンプルは、数ナノメートル間隔のAFMスキャナ垂直移動を容易にキャリブレーションを実行するように設計されています。較正プロセスは、化学的および機械的安定性を示すサンプル表面上の単分子層の半高(0.75 nm)の工程のほぼ均一な分布によって提供されます。ステップ高さは、[0001]方向に6H-SiC結晶の格子定数の半分に相当。
SiC/0.75 キャリブレーション
SiC/0.75 Calibration sample
形状/特性
チップサイズ: 5 x 5 x 0.3 mm3
平均ステップ間隔:0.15 um
表面方位差:～0.2°
単原子ステップ高:0.75 nm
平均粗度-ステップ(テラス):0.09 nm
形状/特性
チップサイズ: 5 x 5 x 0.3 mm3
平均ステップ間隔:0.15 um
表面方位差:～0.2°
単原子ステップ高:0.75 nm
平均粗度-ステップ(テラス):0.09 nm
| 型番 | 品名 | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|
| SIC-075 | SiC/0.75 | 1 | ¥85,000 |
SiC/1.5 キャリブレーション
SiC Calibration sample
形状/特性
チップサイズ: 5 x 5 x 0.3 mm3
平均ステップ間隔:0.15 um
表面方位差:～0.3°
単原子ステップ高:1.5 nm
平均粗度-ステップ(テラス):0.09 nm
形状/特性
チップサイズ: 5 x 5 x 0.3 mm3
平均ステップ間隔:0.15 um
表面方位差:～0.3°
単原子ステップ高:1.5 nm
平均粗度-ステップ(テラス):0.09 nm
| 型番 | 品名 | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|
| SIC-15 | SiC/1.5 | 1 | ¥85,000 |
