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SiC結昌基板
商品コード:
SICS

SiC結昌基板

関連カテゴリ:
高機能材料 > 2D結晶材料
電子顕微鏡関連 > 基板(石英, サファイア, ITO, FTO, AZO, SiC, GaN)
高機能材料 > 結晶・基板
SiC (Silicon Carbide) Crystal Substrates
4H-SiC, 6H-SiC(炭化ケイ素)結晶基板

SiC結晶基板

炭化ケイ素(SiC)結晶基板
 

特性 4H-SiC 単結晶 6H-SiC 単結晶
格子定数(Å) a=3.076
c=10.053
a=3.073
c=15.117
スタッキング ABCB ABCACB
密度 3.21 3.21
モース硬度 ~9.2 ~9.2
熱膨張係数(CTE) (/K) 4-5 x 10-6 4-5 x 10-6
屈折率@750nm no = 2.61
ne = 2.26
no = 2.60
ne = 2.65
誘電率 c ~ 9.66  c ~ 9.66
ドーピングタイプ N-type or Semi-insulation N-type or semi-insulation
熱伝導率(W/cm K @ 298K)
(Nタイプ, 0.02 ohm-cm)
a~4.2
c~3.7
 
熱伝導率(W/cm K @ 298K)
(semi-insulationタイプ)
a~4.9
c~3.9
a~4.6
c~3.2
バンドギャップ(eV) 3.23 3.02
絶縁破壊電界(V/cm) 3-5 x 106 3-5 x 106
飽和ドリフト速度(m/s) 2.0 x 105 2.0 x 105
製品グレード C Grade Research Grade (MPD 15 cm-2)




 

SiC 4H-Nタイプ結晶基板

SiC 結晶基板(4H-Nタイプ)リサーチグレード

SiC結晶基板4H-Nタイプ(0001)
サイズ: 10 mm x 10 mm(+/- 1mm)
厚さ: 350 um +/- 25 um(Nタイプ)
結晶方位: 4 +/- 0.5 deg off axis <0001>
マイクロパイプ密度(MPD): 15 cm-2未満
ドーピング濃度: N-type: 〜1E18/cm            
電気抵抗率4H-N: 0.015〜0.025 Ohm-cm

両面研磨: Si面CMP研磨(エピレディ)
表面粗さ: 研磨Ra 1 nm(C面), CMP Ra 0.5 nm(Si面)

 
型番 サイズ(mm) 厚さ(mm) 数量 価格
SiC-4H-N 10 x 10 0.35 1 ¥45,000



 
SiC結昌基板

SiC 4H-Semi insulationタイプ結晶基板

SiC 結晶基板(4H-Semi insulationタイプ)リサーチグレード

SiC結晶基板4H半絶縁タイプ(0001)
サイズ: 10 mm x 10 mm(+/- 1mm)
厚さ: 500 um +/- 25 um(SIタイプ)
結晶方位: 軸上:<0001> +/- 0.5 deg for 4H-SI
マイクロパイプ密度(MPD): 15 cm-2未満
ドーピング濃度: SIタイプ(Vドープ):〜5E18/cm3
電気抵抗率4H-Si: > 1E5 Ohm-cm
両面研磨: Si面CMP研磨(エピレディ)
表面粗さ: 研磨Ra 1 nm(C面), CMP Ra 0.5 nm(Si面)
 
型番 サイズ(mm) 厚さ(mm) 数量 価格
SiC-4H-S 10 x 10 0.5 1 ¥60,000
 


 
SiC結昌基板

SiC 6H-Nタイプ結晶基板

SiC 結晶基板(6H-Nタイプ)リサーチグレード

SiC結晶基板6H-Nタイプ (0001)
サイズ: 10 mm x 10 mm(+/- 1mm)
厚さ: 350 um +/- 25 um(Nタイプ)
結晶方位: 軸外:6H-N <11-20>に向かって4.0度+/- 0.5度
マイクロパイプ密度(MPD): 15 cm-2未満
ドーピング濃度:N-type: 〜1E18 / cm3
電気抵抗率6H-N: 0.015〜0.025 Ohm-cm

両面研磨: Si面CMP研磨(エピレディ)
表面粗さ: 研磨Ra 1 nm(C面), CMP Ra 0.5 nm(Si面)
 
型番 サイズ(mm) 厚さ(mm) 数量 価格
SiC-6H-N 10 x 10 0.35 1 ¥50,000



 
SiC結昌基板

SiC 6H-Semi insulationタイプ結晶基板

SiC 結晶基板(6H-Semi insulationタイプ)リサーチグレード

SiC結晶基板6H半絶縁タイプ(0001)
サイズ: 10 mm x 10 mm(+/- 1mm)
厚さ: 330 um +/- 25 um(SIタイプ)
結晶方位:軸上: <0001> +/- 0.5 deg for 6H-SI
マイクロパイプ密度(MPD): 15 cm-2未満
ドーピング濃度:SIタイプ(Vドープ): 〜5E18 / cm3
電気抵抗6H-Si: > 1E5 Ohm-cm

両面研磨: Si面CMP研磨(エピレディ)
表面粗さ: 研磨Ra 1 nm(C面),  CMP Ra 0.5 nm(Si面)
 
型番 サイズ(mm) 厚さ(mm) 数量 価格
SiC-6H-S 10 x 10 0.33 1 ¥68,000
 


 
SiC結昌基板