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GaN on サファイアウェハ
商品コード：
GANW

GaN on サファイアウェハ

関連カテゴリ：
高機能材料 > 2D結晶材料
高機能材料 > Wafer
電子顕微鏡関連 > 基板(石英, サファイア, ITO, FTO, AZO, SiC, GaN)
高機能材料 > 結晶・基板
Gallium Nitride (GaN) on Sapphire (0001)
Mg, Fe, Si, Nonドープ及び N & Pタイプ窒化ガリウム on サファイアウェハ

Pタイプ(Mgドープ) GaN 4um窒化ガリウム/サファイア

Pタイプ(Mgドープ) GaN 4um窒化ガリウム/サファイア(0001)
Mg-doped P-type GaN 4 um Gallium Nitride Template on Sapphire (0001)
 
導電タイプ:　Pタイプ(Mgドープ)
寸法:　50.8 mm +/- 0.2 mm(2インチの直径)
GaNの厚さ:　4.5 +/- 0.5 um
使用可能領域:　> 90%
GaNの方向:　A軸に対するC面(0001)のオフ角0.2±0.1
GaNオリエンテーションフラット:　(1-100)+/- 0.2度、長さ16.0 +/- 1.0 mm
総厚さの変動:　<15 um
抵抗率(300K):　〜10 Ohm-cm
転位密度:　<5x108 cm-2
キャリア濃度:　> 6x1016 cm-3
サファイア基板の厚さ:　430 +/- 25 um
サファイア基板配向:　M軸に対するC面(0001)のオフ角0.2±0.1
サファイア平行平面:　(11-20)0±0.2°、長さ16.0 +/- 1.0 mm
基板構造:　GaN /サファイア(0001)
研磨:　片面研磨(SSP), 両面研磨(SSP)
 
型番 品名 サイズ 数量 価格
GANW-0207 Pタイプ(Mgドープ) GaN窒化ガリウム/サファイア
Φ50mm, 片面研磨		 2 in 1 ¥87,000
GSNW-0248 Pタイプ(Mgドープ) GaN窒化ガリウム/サファイア
Φ50mm, 両面研磨		 2 in 1 ¥105,000



 
GaN on サファイアウェハ

半絶縁性Feドープ GaN 2um, 4um窒化ガリウム/サファイア

半絶縁性Feドープ GaN 2um, 4um窒化ガリウム/サファイア(0001)
Semi-Insulating Fe-doped GaN 2um, 4um Gallium Nitride Template on Sapphire
(0001)





 
型番 GANW-0203 GANW-0246
サイズ 50.8 mm +/- 0.1 mm(2インチ直径) 100 mm +/- 0.1 mm(4インチ直径)
導電タイプ 半絶縁
ドープ Fe compensated(Iron-doped)　
Feドーピング濃度 1019 cm−3
GaN厚 1.7〜2.0ミクロン(通常の厚さ1.8 um) 4 um
使用可能領域 >90%
そり +/- 40 um未満 +/- 60 um未満
配向 C平面(0001)+/- 0.5度
オリエンテーション
フラット		 (1-100)+/- 0.5、長さ16.0 +/- 1.0 mm (1-100)+/- 0.5、長さ30.0 +/- 1.0 mm
総基板厚変動 <15um <25um
抵抗率(300K) > 1x107 Ohm-cm
転位密度 <5x108 cm-2
基板構造 サファイア上のGaN(0001)
サファイア厚 430 +/- 25 um 650 +/- 25 um
サファイア
基板配向		 C面(0001)M軸に対するオフ角0.2±0.1
サファイア
配向平面		 (11-20)0±0.2
基板構造 GaN /サファイア(0001)
研磨 片面研磨(SSP), Ra <0.5 nm, CMP, Epi-ready
価格 ¥195,000 ¥280,000



 
GaN on サファイアウェハ

Nタイプ(Siドープ) GaN 20um窒化ガリウム/サファイア

Nタイプ(Siドープ) GaN 20um窒化ガリウム/サファイア(0001)
Si-doped N-type GaN 20um Gallium Nitride Template on Sapphire (0001)
 
導電タイプ:　Nタイプ(Siドープ)
寸法:　50.8 mm +/- 0.1 mm(2インチ直径)
GaNの厚さ:　20 +/- 2 um
使用可能な領域:　> 90%
配向:　C平面(0001)+/- 0.5度
オリエンテーションフラット:　(1-100)+/- 0.5度、16.0 +/- 1.0 mm
サファイア基板の総厚さのばらつき:　<15 um
抵抗率(300K):　<0.05Ω・cm
移動度:　〜200 cm2 / V・s
転位密度:　<5x108 cm-2
キャリア濃度:　> 1x1018 cm-3
表面粗さRa:　<0.5 nm, Epi-ready
サファイア基板の厚さ:　430 +/- 25 um
サファイア基板配向:　M軸に対するC面(0001)のオフ角0.2±0.1
サファイア平行平面:　(11-20)0±0.2°、長さ16.0 +/- 1.0 mm
基板構造:　サファイア上のGaN(0001)
研磨:　片面研磨(SSP)
 
型番 品名 サイズ 数量 価格
GANW-0205 Nタイプ(Siドープ) GaN 20um窒化ガリウム/サファイア
Φ50mm, 片面研磨		 2 in 1 ¥120,000



 
GaN on サファイアウェハ

Nタイプ(Siドープ) GaN 4um窒化ガリウム/サファイア

Nタイプ(Siドープ) GaN 4um窒化ガリウム/サファイア(0001)
Si-doped N-type GaN 4um Gallium Nitride Template on Sapphire (0001)





 
型番 GANW-0204(片面研磨)
GANW-0223(両面研磨)		 GANW-0237(片面研磨)
サイズ 50.8 mm +/- 0.1 mm(2インチ直径) 100 mm +/- 0.1 mm(4インチ直径)
導電タイプ Nタイプ(Siドープ)
GaN厚 4.5 +/- 0.5 um
使用可能領域 >90%
そり +/- 40 um未満 +/- 60 um未満
オリエンテーション
フラット		 (1-100)+/- 0.5、
長さ16.0 +/- 1.0 mm		 (1-100)+/- 0.5、
長さ30.0 +/- 1.0 mm
総基板厚変動 <15um <25um
抵抗率(300K) <0.01 Ohm-cm(標準値0.007 Ohm-cm)
転位密度 <5x108 cm-2
基板構造 サファイア上のGaN(0001)
サファイア厚 430 +/- 25 um 650 +/- 25 um
サファイア
基板配向		 C面(0001)M軸に対するオフ角0.2±0.1
サファイア
配向平面		 (11-20)0±0.2
基板構造 GaN /サファイア(0001)
研磨 片面研磨(SSP), Ra <0.5 nm,
CMP, Epi-ready		 片面研磨(SSP), Ra <0.5 nm,
CMP, Epi-ready
価格 GANW-0204(片面研磨):￥80,000
GANW-0223(両面研磨):￥86,000		 GANW-0237(片面研磨):￥245,000



 
GaN on サファイアウェハ

Nタイプ(アンドープ) GaN 20um窒化ガリウム/サファイア

Nタイプ(アンドープ) GaN 20um窒化ガリウム/サファイア(0001)
Undoped N-Type GaN 20 um Gallium Nitride Template on Sapphire (0001)
 
導電タイプ: N型(アンドープ)
寸法: 50.8 mm +/- 0.1 mm(2インチ直径)
GaNの厚さ: 20 +/- 2 um
使用可能な領域: > 90%
GaN配向: C面(0001)A軸に対するオフ角0.2±0.1
GaNオリエンテーションフラット: (1-100)+/- 0.2度、長さ16.0 +/- 1.0 mm
キャリア濃度: <5x1017 cm-3
抵抗率(300K): <0.5 Ohm・cm
移動度: 〜300 cm2 / V・s
転位密度: <5x108 cm-2
表面粗さRa: <0.5 nm, Epi-ready
サファイア基板の厚さ: 430 +/- 25 um
サファイア基板配向: M軸に対するC面(0001)のオフ角0.2±0.1
サファイア配向平面: 11-20)0±0.2度、長さ16.0 +/- 1.0 mm
研磨: 片面研磨(SSP)
 
型番 品名 サイズ 数量 価格
GANW-0206 Nタイプ(アンドープ) GaN 20um窒化ガリウム/サファイア
片面研磨		 2 in 1 ¥140,000

 

 
GaN on サファイアウェハ

Nタイプ(アンドープ) GaN 4um窒化ガリウム/サファイア

Nタイプ(アンドープ) GaN 4um窒化ガリウム/サファイア(0001)
Undoped N-Type GaN 4 um Gallium Nitride Template on Sapphire (0001)





 
型番 GANW-0201(片面研磨)
GANW-0208(両面研磨)		 GANW-0213(片面研磨)
サイズ 50.8 mm +/- 0.1 mm(2インチ直径) 100 mm +/- 0.1 mm(4インチ直径)
導電タイプ Nタイプ(アンドープ)
GaN厚 4.5 +/- 0.5 um
使用可能領域 >90%
そり +/- 40 um未満 +/- 60 um未満
GaN配向 C面(0001)A軸に対するオフ角0.2±0.1
オリエンテーション
フラット		 (1-100)+/- 0.5、長さ16.0 +/- 1.0 mm (1-100)+/- 0.5、長さ30.0 +/- 1.0 mm
総基板厚変動 <15um <25um
抵抗率(300K) <0.5 Ohm-cm
転位密度 <5x108 cm-2
キャリア濃度
(ドーピング濃度)		 <5x1017 cm-3 > 2x1018 cm-3
移動度 〜300 cm2/V・s  >200 cm2/ V・s 
表面AFM RMS <0.5 nm、CMP研磨、Epi-ready  
基板構造 サファイア上のGaN(0001)
サファイア厚 430 +/- 25 um 650 +/- 25 um
サファイア
基板配向		 C面(0001)M軸に対するオフ角0.2±0.1
サファイア
配向平面		 (11-20)0±0.2
基板構造 GaN /サファイア(0001)
研磨 Ra <0.5 nm, CMP, Epi-ready
価格 GANW-0201(片面研磨):￥77,000
GANW-0208(両面研磨):￥83,000		 GANW-0213(片面研磨):￥245,000


 
GaN on サファイアウェハ