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CVDグラフェン on Ni foil & substrate
商品コード：
CVDN

CVDグラフェン on Ni foil & substrate

関連カテゴリ：
高機能材料 > CVDグラフェン
化学気相成長グラフェン   CVD Graphene
ニッケルフォイルに化学気相蒸着を介して成長したグラフェン
Ni/Si/SiO2ウェハを含む誘電体基板上のグラフェン




 

Multilayer Graphene on Ni foil

多層グラフェン/ニッケルフォイル
多層グラフェンの膜厚は平均300 monolayers(105 nm)これらのグラフェン膜はNiフォイル、Ni面ステップと粒の境界を越えて連続的に成長
ニッケルフォイル厚:25 um 
 
型番 品名 数量 価格
CVD-Ni-FOIL-2x2 多層グラフェンニッケルフォイル 50 x 50mm 1 ¥67,000



 
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CVD Graphene film on Ni/SiO/Si chip

グラフェン/ニッケル基板(Ni/SiO/Si)

ニッケル基板上のグラフェンは通常1-7層(平均4 monolayers)の厚さになります。それぞれの"パッチ"は、異なる厚さを有しているパッチワークのように見えます。同じパッチ内のグラフェン層が互いに相対的に整列しています。(グラファイトABスタッキング順序があります) 各パッチの大きさは、3～10 umになります。
グラフェン: 1-7 層(平均 4 層)
ウェハ: Ni/SiO on Siウェハ
サイズ: 10 mm x 10 mm
型番 品名 数量 価格
CVD-TP10 グラフェン/ニッケル基板 10 x 10mm 10/pk N/A
CVD-TP20 グラフェン/ニッケル基板 10 x 10mm 20/pk N/A



 
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CVD Graphene film on 4" wafer

グラフェン on Ni/SiO/Siウェハ 100mm (4 in) Wafer

ニッケル上のグラフェンは通常1-7層(平均4 monolayers)の厚さになります。それぞれの"パッチ"は、異なる厚さを有しているパッチワークのように見えます。同じパッチ内のグラフェン層が互いに相対的に整列しています。(グラファイトABスタッキング順序があります) 各パッチの大きさは、3～10 umになります。

グラフェン: 1-7 層(平均 4 層)
ウェハ: Ni/SiO on Siウェハ
ウェハサイズ: 100 mm径
 
型番 品名 数量 価格
CVD-04 グラフェン/Ni/SiO/Si(4インチウェハ) 100mm 1/pk ¥127,000



 
CVDグラフェン on Ni foil & substrate