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CVDグラフェン on Ni foil & substrate
商品コード：
CVDN

CVDグラフェン on Ni foil & substrate

関連カテゴリ：
高機能材料 > CVDグラフェン
化学気相成長グラフェン   CVD Graphene
ニッケルフォイルに化学気相蒸着を介して成長したグラフェン
Ni/Si/SiO2ウェハを含む誘電体基板上のグラフェン




 

Multilayer Graphene on Ni foil

多層グラフェン/ニッケルフォイル

平均厚さ約 500 ～ 800 nm の多層グラフェンフィルム。これらのグラフェン膜はニッケル箔上に成長し、ニッケル表面の段差や粒界を横切って連続的に成長します。ニッケル膜上に成長したグラフェンは多層であり、均一ではありません。パッチワークのように見えますが、パッチの厚さは異なります。 同じパッチ内のグラフェン層は相互に整列しています (グラファイト AB ステーキング順序があります)。 パッチのサイズは約 3 ～ 10 ミクロンです。

ニッケルフォイル厚:　25 um 
 
型番 品名 数量 価格
CVD-Ni-FOIL-2x2 多層グラフェンニッケルフォイル 50 x 50mm 1 ¥75,000



 
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CVD Graphene film on Ni/SiO/Si chip

多層グラフェン/ニッケル基板(Ni/SiO/Si)

ニッケル上のグラフェンは数単層の厚さで、通常1-7層(平均4単層)の厚さになります。それぞれの"パッチ"は、異なる厚さを有しているパッチワークのように見えます。同じパッチ内のグラフェン層が互いに相対的に整列しています。(グラファイトABスタッキング順序があります) 各パッチの大きさは、3～10 umになります。ニッケル上のグラフェンは異なる層状のパッチで成長するため、ラマン信号はフィルムの撮影場所に応じて劇的に変化します。ニッケルを触媒として使用した場合、正確で均一な層を有するグラフェンシートを作成することはできません。

グラフェン: 1-7 層(平均 4 単層厚)
ウェハ: Ni/SiO on Siウェハ
サイズ: 10 mm x 10 mm
 
型番 品名 数量 価格
CVD-Ni-10 多層グラフェン/ニッケル基板 10 x 10mm 10/pk ￥80,000



 
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CVD Graphene film on 4" wafer

グラフェン on Ni/SiO/Siウェハ 100mm (4 in) Wafer

ニッケル上のグラフェンは通常1-7層(平均4 monolayers)の厚さになります。それぞれの"パッチ"は、異なる厚さを有しているパッチワークのように見えます。同じパッチ内のグラフェン層が互いに相対的に整列しています。(グラファイトABスタッキング順序があります) 各パッチの大きさは、3～10 umになります。

グラフェン: 1-7 層(平均 4 層)
ウェハ: Ni/SiO on Siウェハ
ウェハサイズ: 100 mm径
 
型番 品名 数量 価格
CVD-Ni-04 グラフェン/Ni/SiO/Si(4インチウェハ) 100mm 1/pk ¥160,000



 
CVDグラフェン on Ni foil & substrate