Multilayer Graphene on Ni foil
多層グラフェン/ニッケルフォイル
多層グラフェンの膜厚は平均300 monolayers(105 nm)これらのグラフェン膜はNiフォイル、Ni面ステップと粒の境界を越えて連続的に成長
ニッケルフォイル厚:25 um
多層グラフェンの膜厚は平均300 monolayers(105 nm)これらのグラフェン膜はNiフォイル、Ni面ステップと粒の境界を越えて連続的に成長
ニッケルフォイル厚:25 um
型番 | 品名 | 数量 | 価格 |
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CVD-Ni-FOIL-2x2 | 多層グラフェンニッケルフォイル 50 x 50mm | 1 | ¥67,000 |
CVD Graphene film on Ni/SiO/Si chip
グラフェン/ニッケル基板(Ni/SiO/Si)
ニッケル基板上のグラフェンは通常1-7層(平均4 monolayers)の厚さになります。それぞれの"パッチ"は、異なる厚さを有しているパッチワークのように見えます。同じパッチ内のグラフェン層が互いに相対的に整列しています。(グラファイトABスタッキング順序があります) 各パッチの大きさは、3~10 umになります。
グラフェン: 1-7 層(平均 4 層)
ウェハ: Ni/SiO on Siウェハ
サイズ: 10 mm x 10 mm
ニッケル基板上のグラフェンは通常1-7層(平均4 monolayers)の厚さになります。それぞれの"パッチ"は、異なる厚さを有しているパッチワークのように見えます。同じパッチ内のグラフェン層が互いに相対的に整列しています。(グラファイトABスタッキング順序があります) 各パッチの大きさは、3~10 umになります。
グラフェン: 1-7 層(平均 4 層)
ウェハ: Ni/SiO on Siウェハ
サイズ: 10 mm x 10 mm
型番 | 品名 | 数量 | 価格 |
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CVD-TP10 | グラフェン/ニッケル基板 10 x 10mm | 10/pk | N/A |
CVD-TP20 | グラフェン/ニッケル基板 10 x 10mm | 20/pk | N/A |
CVD Graphene film on 4" wafer
グラフェン on Ni/SiO/Siウェハ 100mm (4 in) Wafer
ニッケル上のグラフェンは通常1-7層(平均4 monolayers)の厚さになります。それぞれの"パッチ"は、異なる厚さを有しているパッチワークのように見えます。同じパッチ内のグラフェン層が互いに相対的に整列しています。(グラファイトABスタッキング順序があります) 各パッチの大きさは、3~10 umになります。
グラフェン: 1-7 層(平均 4 層)
ウェハ: Ni/SiO on Siウェハ
ウェハサイズ: 100 mm径
ニッケル上のグラフェンは通常1-7層(平均4 monolayers)の厚さになります。それぞれの"パッチ"は、異なる厚さを有しているパッチワークのように見えます。同じパッチ内のグラフェン層が互いに相対的に整列しています。(グラファイトABスタッキング順序があります) 各パッチの大きさは、3~10 umになります。
グラフェン: 1-7 層(平均 4 層)
ウェハ: Ni/SiO on Siウェハ
ウェハサイズ: 100 mm径
型番 | 品名 | 数量 | 価格 |
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CVD-04 | グラフェン/Ni/SiO/Si(4インチウェハ) 100mm | 1/pk | ¥127,000 |
