会社概要
Plasma PrepIII
プラズマエッチング装置
Plasma-Prep III はドライプラズマ化学反応による、エッチング、アッシング研究開発用途におけるレジスト剥離、有機物除去、灰化,界面活性,マイクロ研磨などに優れた性能を持ち、ライフサイエンス, 物質科学, 電子工学, SEM/TEM電子顕微鏡観察など、広くその効果を発揮します。コンパクトな卓上型の低温/エッチャーはソリッドステート設計を採用し、1W～100Wのパワーを供給します。
特 長
コンパクト設計: ベンチトップ/省スペースのプラズマエッチャー
反応チャンバー: 反応ガスに応じて、PYREX又は石英から選択可
低温操作: 資料の構造を破壊することなく有機物を灰化
安定性: 高電圧/高出力で長時間操作が行えます
処理時間: SiO2のエッチング(25-30分)、Si3N4エッチング(30-35分)、
混成物の洗浄(数分)、メンブレンフィルターの灰化(30分)
アプリケーション
● 電子部品等の有機物除去
● 基板クリーニング
● 金属酸化膜の除去
● 界面活性処理
● 酸化膜のエッチング
● アッシング(灰化)
● SEM/TEM試料処理
テストデータ
Glass passivated circuit (CF4ガス使用によるプラズマ処理)
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20mm試験管プラズマ処理
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NMRキャピラリー管 (L: 180mm, ID: 2mm, OD: 5mm)
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装置仕様
Plasma-Prep III はドライプラズマ化学反応による、エッチング、アッシング研究開発用途におけるレジスト剥離、有機物除去、灰化,界面活性,マイクロ研磨などに優れた性能を持ち、ライフサイエンス, 物質科学, 電子工学, SEM/TEM電子顕微鏡観察など、広くその効果を発揮します。コンパクトな卓上型の低温/エッチャーはソリッドステート設計を採用し、1W～100Wのパワーを供給します。
特 長
コンパクト設計: ベンチトップ/省スペースのプラズマエッチャー
反応チャンバー: 反応ガスに応じて、PYREX又は石英から選択可
低温操作: 資料の構造を破壊することなく有機物を灰化
安定性: 高電圧/高出力で長時間操作が行えます
処理時間: SiO2のエッチング(25-30分)、Si3N4エッチング(30-35分)、
混成物の洗浄(数分)、メンブレンフィルターの灰化(30分)
アプリケーション
● 電子部品等の有機物除去
● 基板クリーニング
● 金属酸化膜の除去
● 界面活性処理
● 酸化膜のエッチング
● アッシング(灰化)
● SEM/TEM試料処理
テストデータ
Glass passivated circuit (CF4ガス使用によるプラズマ処理)
20mm試験管プラズマ処理
NMRキャピラリー管 (L: 180mm, ID: 2mm, OD: 5mm)
装置仕様
| 型式 | 11050-AB(PYREXチャンバー) | 11050Q-AB(石英チャンバー) |
|---|---|---|
| 方式 | ダイレクトプラズマ方式バレル型 | |
| 電極構造 | 対向電極 | |
| 出力 | 1 - 100W | |
| 発振周波数 | 13.56 MHz | |
| 電力増幅 | ソリッドステート増幅方式 | |
| 同調法式 | マニュアル | |
| 制御・表示 | デジタル表示(電流, 真空) | |
| チャンバー | PYREX 105(径) x 150(L)mm | 石英 105(径) x 150(L)mm |
| 反応ガス | 酸素、アルゴン | 酸素、アルゴン、CF4 |
| 真空ポンプ | ロータリー真空ポンプ:50L/min (別途必要) | |
| 真空センサ | 真空ゲージ標準内蔵 | |
| 外寸 | 300(W) x 376(D) x 267(H) mm | |
| 電源 | 110V, 50/60Hz, 15A | |
| 安全対策 | 電源遮断インターロックスイッチ | |
| 重量 | 14.5kg | |
| 価格 | ¥3,100,000 | ¥3,500,000 |
Process Controller
プロセスコントローラーはPlasma Prep IIIプラズマクリーナーに多彩な機能を提供する
アドオンモジュールです。このモジュールを使用すると、次のことが可能になります。
-Plasma Prep IIIの圧力を調整するためのガス流量を制御します
-2つのガスを選択し、PPIIIシステムへの流入ガスとして使用するために比例混合
-Plasma Prep IIIの時間制御
Plasma Prep IIIプロセスコントローラーは、次の事を必要とする場合に有用です
研究開発と生産のための再現可能な制御と実行時間
複数のガス供給源
2つのガスの可変混合
小さなモジュールサイズはPlasma Prep IIIフレームにフィットし、システムに簡単に接続できます。 2つのガス入力は、高精度流量計を介して2つのガスの圧力および潜在的な混合を制御することを可能にします。コントロールパネルで、処理時間 (秒、分、時間)の入力、メモリの保存と再呼び出し、インタロック機能が可能になり、プロセスコントローラーがPlasma Prep IIIにインターフェイスして動作させることができます。コントローラーはPlasmaPrep IIIがサイクルを実行することを可能にし、実験または生産における複数回の再現可能なサイクルが可能になります。
アドオンモジュールです。このモジュールを使用すると、次のことが可能になります。
-Plasma Prep IIIの圧力を調整するためのガス流量を制御します
-2つのガスを選択し、PPIIIシステムへの流入ガスとして使用するために比例混合
-Plasma Prep IIIの時間制御
Plasma Prep IIIプロセスコントローラーは、次の事を必要とする場合に有用です
研究開発と生産のための再現可能な制御と実行時間
複数のガス供給源
2つのガスの可変混合
小さなモジュールサイズはPlasma Prep IIIフレームにフィットし、システムに簡単に接続できます。 2つのガス入力は、高精度流量計を介して2つのガスの圧力および潜在的な混合を制御することを可能にします。コントロールパネルで、処理時間 (秒、分、時間)の入力、メモリの保存と再呼び出し、インタロック機能が可能になり、プロセスコントローラーがPlasma Prep IIIにインターフェイスして動作させることができます。コントローラーはPlasmaPrep IIIがサイクルを実行することを可能にし、実験または生産における複数回の再現可能なサイクルが可能になります。
| 型番 | 品名 | 数量 | 価格 |
|---|---|---|---|
| 11052-AB | Process controller 寸法: 241(W) x 267(D) x 177(H) mm 電源:110V |
1 | ¥980,000 |
